制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 24.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 109 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 15.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
系列: STP13NM60ND
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.6 ns
典型接通延迟时间: 46.5 ns
单位重量: 2 g
