制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.55 V
在25 C的连续集电极电流: 200 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: -
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: 20 V
安装风格: PCB Mount
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
技术: Si
零件号别名: FP200R12N3T7_B11 SP005612514
