製造商: onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: SiC
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: D2PAK-7L
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV
Id - C連續漏極電流: 54 A
Rds On - 漏-源電阻: 39 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4.4 V
Qg - 閘極充電: 107 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 348 W
通道模式: Enhancement
系列: NVBG030N120M3S
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 11 ns
互導 - 最小值: 30 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
原廠包裝數量: 800
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 48 ns
標準開啟延遲時間: 16 ns
